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Halbleiter-Speicher Einleitung Halbleiterspeicher Halbleiterspeicher (Zentralspeicher) Schreib-Lese-Speicher Festwertspeicher ROM Schreib-Lese-Speicher …
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Halbleiter-Speicher Einleitung Halbleiterspeicher Halbleiterspeicher (Zentralspeicher) Schreib-Lese-Speicher Festwertspeicher ROM Schreib-Lese-Speicher  Wahlfreien Zugriff Bipolare Speicher MOS-Speicher  Arbeitsweise: Wortorganisiert Bitorganisiert  (trägt maßgeblich zur Systemleistung bei) SRAM  Statisch  Bleibt nach Abruf erhalten  Stromverbrauch hoch  Hoher Anschaffungspreis DRAM (Dynamic RAM)  Einfach, langsam, billig  Speicherinhalt geht ohne Stromzufuhr verloren  Speicherzustand muss immer wieder aktualisiert werden  Speicherzelle: Transistor und ein Kondensator  Grundprinzip für alle anderen Speichertypen Lesen/schreiben Wortorganisierte Schreib-Lese- Speicher  Speicher: Wortleiter, Bitleiter  Adressen: Zeilen Zeilendecoder Spalten Spaltendecoder  Es kann immer nur ein ganzes Wort angesteuert werden. Berechnung Bipolare Speicher  Vielfachemitter-Transistoren  2 Transistoren zu einem Flipflop  Emitter X und Y Adressierung der Speicherzelle  Dritter Emitter Schreiben oder Lesen Statisches MOS-Speicher Element Dynamisches MOS-Speicher Element Festwertspeicher mit wahlfreiem Zugriff  Enthalten nach Fertigung und Programmierung einen nicht mehr veränderbaren Inhalt 1.Maskenprogrammierte Festwertspeicher 2.Programmierbare Festwertspeicher Maskenprogrammierte MOS- Festwertspeicher  Innerhalb der Matrix  Verbindung zwischen Wortleiter und Bitleiter durch Transistor  wenn T. vorhanden oder es besteht keine Verbindung  Große Speicherkapazitäten je Speicherelement Skizze: Programmierbare MOS- Festwertspeicher  Mehrfach Programmierbare Fws.  Ursprünglicher Zustand wieder- herstellbar durch löschen PROM  Nur einmal programmierbar  Bitzelle besteht jeweils aus einer Diode und einer Schwachstelle  Programmiergerät erforderlich EPROM & EEPROM  Wird durch bestrahlen mit UV-Strahl vollständig gelöscht  EEPROM: löschen durch Spannungsimpulse  Bedienerdaten, Konfig., Parametern und Einstellungen Ende Schreib-Lese-Speicher 2.MOS-Speicher 1.Bipolare Speicher 3. Statisch •SRAM 4.dynamisch •DRAM zurück Festwertspeicher ROM 1. Bipolare Sp. 4. Mos-Speicher 2. Maskenprogr. 5.Maskenprogr. 3. programierbar 6.EPROM zurück
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